W帯GaN MMIC送受信増幅器

増田哲; 多木俊裕; 牧山剛三; 岡本直哉; 今西健治; 吉川俊英; 重松寿生

文献

J-GLOBAL ID：201002268586360847 整理番号：10A0365102

W帯GaN MMIC送受信増幅器

GaN MMIC Amplifiers for W-band Transceivers

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： EDD-10 号： 36-39.41-45 ページ： 49-53 発行年： 2010年03月26日
JST資料番号： Z0910A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

広帯域高速無線通信,ミリ波イメージセンサや76GHz自動車レーダなどのW帯アプリケーションの実用化が進んでいる。送受信増幅器はこれらのシステムを構成するRFフロントエンドモジュールの重要なコンポーネントである。本論文では,グランドコプレーナ線路を用いたW帯GaN MMIC送受信増幅器を開発したので報告した。試作した低雑音増幅器は76.5GHzで利得23dBのGaN MMICとして世界最高性能を達成した。また,NFは80GHzで3.8dBを達成した。W帯におけるGa MMICのNFはこれまで報告はなく,本報告が世界初である。また,送信増幅器は出力25.4dBmの世界最高レベルの性能を示した。さらに,W帯GaN MMICの回路の安定化に向けて,漏洩モードを抑圧する回路設計手法を提案し,この効果を実験的に確認した。

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増幅回路 , 半導体集積回路

引用文献 (13件)：

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M. Micovic, A. Kurdoghlian, P. Hashimoto, M. Hu, M. Antcliffe, P. J. Willadsen, W. S. Wong, R. Bowen, I. Milosavljevic, A. Schmitz, M. Wetzel, and D. H. Chow,“GaN HFET for W-band power applications,” IEEE IEDM Dig., pp. 157-159, December 2006.
M. Micovic, A. Kurdoghlian, H. P. Moyer, P. Hashimoto, M. Hu, M. Antcliffe, P. J. Willadsen, W. S. Wong, R. Bowen, I. Milosavljevic, Y. Yoon, A. Schmitz, M. Wetzel, C. McGuire, B. Hughes, and D. H. Chow,“GaN MMIC PAs for E-Band (71 GHz-95 GHz) radio,” IEEE CSIC Symp. Dig., pp. 10-13, October 2008.
H. P. Moyer, A. Kurdoghlian, M. Micovic, T. Lee, R. O. Hiramoto, M. J. Be Zaire, S. Nguyen, P. Hashimoto, A. Schmitz, I. Milosavljevic, P. J. Willadsen, W.-S. Wong, M. Antcliffe, M. D. Wetzel, and M. Hu,“Q-Band GaN MMIC LNA using a 0.15μm T-Gate process,” IEEE CSIC Symp. Dig., pp. 99-102, October 2008.
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