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J-GLOBAL ID：201002268643776001   整理番号：10A0924852

ソース安定化によるナノメータスケールDeNMOSのロバストな高電流ESD性能

Robust High Current ESD Performance of Nano- Meter Scale DeNMOS By Source Ballasting

著者 (5件)： CHATTERJEE Amitabh (Univ. California, CA, USA) ,  BREWER Forrest (Univ. California, CA, USA) ,  GOSSNER Harald (Infineon Technol., Neubiberg, DEU) ,  PENDHARKAR Sameer (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  DUVVURY Charvaka (Texas Instruments Inc., TX, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 853-856  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールDeNMOS(ドレイン拡張NMOS)のESD事象下での強いスナップバックによる信頼性への重大な影響を解決するために調査を行った。先ず回路トポロジにより解析した結果,トランジスタのソース/接地間にソース抵抗Rsを導入することで強いスナップバックを制御できると判明した。次にDeNMOSにおける寄生バイポーラ動作に関して微視的解析を行いアンビポーラ(すなわち正孔と電子の同時二極性)電流集中現象を調査し,モデル化して,ソース抵抗Rs導入の効果を確認した。

シソーラス用語： ソース【半導体】 ,  安定化 ,  *NMOS構造 ,  放電 ,  現象 ,  電気保護 ,  電流電圧特性 ,  電気伝導 ,  *MOSFET ,  電流分布 ,  集束 ,  ターンオン
準シソーラス用語： ESD【放電】 ,  スナップバック

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ソース ,  安定化 ,  ロバスト ,  高電流 ,  ESD