文献
J-GLOBAL ID:201002268655639514   整理番号:10A0686580

FeSiAl合金における垂直入射条件での配向依存イオンビームスパッタリング

Orientation-dependent ion beam sputtering at normal incidence conditions in FeSiAl alloy
著者 (2件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 741  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
6から10keVまで変わるエネルギーにおいて,垂直入射での多結晶Fe-Si-Al合金のAr+広イオンビームスパッタリングを行った。スパッタリングは三つの形状に分類できるエッチピットの形成をもたらした。それらは三角形,矩形,及び四角形である。個々に配向した各結晶粒がある型のパターンを示すので,そのエッチピットは電子後方散乱回折技術による結晶配向と相関性があった。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  スパッタリング 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る