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J-GLOBAL ID:201002268731762428   整理番号:10A1250112

ナノ粒子-有機メモリトランジスタに対する機能モデルの開発

Development of a Functional Model for the Nanoparticle-Organic Memory Transistor
著者 (6件):
資料名:
巻: 2010 Vol.3  ページ: 1663-1666  発行年: 2010年 
JST資料番号: A0757A  ISSN: 0271-4302  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは最近,神経回路網内のスパイキングシナプスに似た挙動を示すナノ粒子有機メモリFET(NOMFET)を報告した。NOMFETは通常のMOSFETを用い,ペンタセン堆積前にソース-ドレイン電極間表面に金ナノ粒子を固定する。ナノ粒子に捕獲された電荷の効果を考慮したNOMFETの機能モデルを提案し,ハイブリッドナノ/CMOS回路の高信頼シミュレーションを行った。逐次物理モデルと多数の実験的パラメータを統合し,シミュレーション精度を改善した。
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分類 (1件):
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トランジスタ 
物質索引 (1件):
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タイトルに関連する用語 (5件):
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