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J-GLOBAL ID：201002268864654059   整理番号：10A0546692

FeAs系超伝導体における不規則効果及び電流パーコレーション

Disorder effects and current percolation in FeAs-based superconductors

著者 (10件)： EISTERER M (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  ZEHETMAYER M (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  WEBER H W (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  JIANG J (Florida State Univ., FL, USA) ,  WEISS J D (Florida State Univ., FL, USA) ,  YAMAMOTO A (Florida State Univ., FL, USA) ,  HELLSTROM E E (Florida State Univ., FL, USA) ,  LARBALESTIER D C (Florida State Univ., FL, USA) ,  ZHIGADLO N D (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  KARPINSKI J (ETH Zurich, Zurich, CHE)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 5  ページ： 054006,1-7  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの異なる多結晶Sm-1111(SmFeAsO_1-xF_x)及び二つのBa-122単結晶(BaFe_1.8Co_0.2As₂)における,転移温度,上部臨界場,及び磁束ピン止めに及ぼす中性子照射の影響を報告した。結晶粒間及び結晶粒内電流を調べた。原子スケール不規則性は,Fe系超伝導において,基本的な超伝導特性(上部臨界磁場,転移温度)を改善する有望な方法では無かった。他方,バルクピン止めは,ナノスケール欠陥の導入により強化された。一般的に,臨界電流密度は,はじめの照射段階において増加したが,更なる照射に対して,Ba-122単結晶では減少し始め,Sm-1111ではさらに改善した。

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,  サマリウム化合物 ,  鉄化合物 ,  ヒ化物 ,  酸化物 ,  フッ化物 ,  バリウム化合物 ,  コバルト化合物 ,  多結晶 ,  単結晶 ,  *転移温度 ,  *磁束ピン止め ,  *中性子照射 ,  臨界電流密度 ,  フラックス法 ,  照射損傷 ,  *鉄系超伝導体
準シソーラス用語： *上部臨界磁場

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 超伝導体 ,  パーコレーション