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J-GLOBAL ID：201002268895802463   整理番号：10A1101797

無ドープInGaAs/AlAsSb結合二重量子井戸におけるシリコンイオン注入による相互位相変調の生成

Generating cross phase modulation by silicon ion implantation in undoped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells

著者 (6件)： CONG G.W. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST)) ,  AKIMOTO R. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST)) ,  GOZU S. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST)) ,  MOZUME T. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST)) ,  HASAMA T. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST)) ,  ISHIKAWA H. (National Inst. of Adv. Industrial Sci. and Tech. (AIST))
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-G-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 多重量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  位相変調 ,  *イオン注入 ,  ケイ素 ,  電子遷移 ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  半導体集積回路 ,  回路
準シソーラス用語： *サブバンド間遷移 ,  シリコン ,  *ヒ化アンチモン化アルミニウム ,  フォトニック回路 ,  モノリシック集積回路 ,  *相互位相変調 ,  *二重量子井戸

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  InGaAs ,  二重量子井戸 ,  シリコン ,  イオン注入 ,  相互位相変調