文献

J-GLOBAL ID：201002268908773360   整理番号：10A0984658

ホットプレス法で作成したAgInS₂結晶のAg/In比の依存性

Dependence of Ag/In Ratio of AgInS₂ Crystal Grown by Hot-Press Method

著者 (3件)： 徳田剛大 (宮崎大) ,  吉野賢二 (宮崎大) ,  碇哲雄 (宮崎大)
資料名： Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki  (Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki)
号： 39  ページ： 77-82  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： G0471A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 粉末二元系材料Ag₂S,In₂S₃を用いて,ホットプレス法によりAg/In比を変化させて圧力25MPa,成長時間1h,成長温度700°CでAgInS₂を作製した。AgリッチなサンプルにはAgInS₂のピークとAg₂Sのピークが確認され,InリッチなサンプルにはAgInS₂のピークとAgIn₅S₈が確認された。Hall効果測定結果により,Inリッチなサンプルはストイキオメトリ組成に近づくにつれて移動度が低下し抵抗率が増加する傾向を示した。Agリッチなサンプルはストイキオメトリに近づくにつれて移動度が低下し抵抗率が増加する傾向を示した。また抵抗率の値がAgリッチなサンプルとInリッチなサンプルでは大きく異なった。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  銀化合物 ,  硫化物 ,  *ホットプレス ,  *結晶成長 ,  組成 ,  依存性 ,  Hall効果 ,  移動度 ,  電気的性質 ,  太陽電池 ,  半導体材料

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホットプレス法 ,  結晶 ,  Ag ,  依存性