文献
J-GLOBAL ID:201002268915084651   整理番号:10A0781015

PEDT:PSS導電性高分子における電荷輸送の新シナリオ:正孔共鳴トンネリングからカチオン運動と緩和

New scenarios of charge transport in PEDT:PSS conducting polymer: From hole resonant tunneling to cationic motion and relaxation
著者 (10件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 1432-1438  発行年: 2010年08月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸(またはPEDT:PSS)導電性高分子系の一連の明白な電流密度-電場(JE)特性を報告する。金属/PEDT:PSS/金属サンドイッチ素子に対する対称と非対称負性微分抵抗(NDR)挙動を観測し,これらの新規挙動をPEDT:PSS薄膜中の正孔注入と共鳴トンネリング,正孔閉鎖と抽出及びイオン運動に関係付けた。PEDT:PSS/金属界面配置と薄膜厚みの両者はNDR特性の徴候に大きな効果をもつ。μm厚のPEDT:PSS薄膜中の相分離がイオン運動支配伝導に対して正孔支配輸送の変換を導き,しかるに種々の厚みを有する薄膜のJE特性における劇的変化を生じることを提案した。本結果はPEDT:PSS/金属界面とPEDT:PSS薄膜厚みが電気伝導に及ぼす重要効果を明らかにし,電子とイオン伝導成分を有するこのモデル系における最新理解を広げた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
高分子固体の物理的性質 

前のページに戻る