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J-GLOBAL ID：201002269041778140   整理番号：10A0287385

Si上のGe/SiGe量子井戸における量子閉込めStark効果

Quantum-Confined Stark Effect in Ge/SiGe Quantum Wells on Si

著者 (9件)： RONG Yiwen (Stanford Univ., CA, USA) ,  GE Yangsi (Stanford Univ., CA, USA) ,  HUO Yijie (Stanford Univ., CA, USA) ,  FIORENTINO Marco (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  TAN Michael R.T. (Hewlett-Packard Lab., CA, USA) ,  KAMINS Theodore I. (Stanford Univ., CA, USA) ,  OCHALSKI Tomasz J. (Tyndall National Inst., Cork, IRL) ,  HUYET Guillaume (Cork Inst. Technol., Cork, IRL) ,  HARRIS James S.,Jr. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 16  号： 1  ページ： 85-92  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子閉込めStark効果は電場依存する光吸収の強い変化で,光変調器や低出力素子に広く用いられている。本研究ではSi基板上に成長させたSiGe障壁を有するGe量子井戸中の量子閉込め及び量子閉込めStark効果電界吸収を観測した。Geは間接ギャップ半導体であるが,得られた効果は典型的なIII-V量子井戸構造と同じ波長において少なくとも同程度に明白で強かった。高速のコプレーナ変調器を作製し,30μm大の変調器に対して10GHzにおける変調を実証し,3.125GHzにおけるアイダイアグラムを示した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *量子井戸 ,  半導体材料 ,  *Stark効果 ,  量子閉込め ,  電界吸収 ,  *光変調素子 ,  光吸収 ,  アイパターン ,  ポンププローブ法 ,  PIN接合
準シソーラス用語： ケイ素基板

分類 (1件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  SiGe ,  量子井戸 ,  量子閉込めStark効果