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J-GLOBAL ID：201002269116133735   整理番号：10A0951701

Siナノ結晶のレーザ誘起加熱

Laser induced heating of Si nanocrystals

著者 (7件)： GIBILISCO S. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  GIBILISCO S. (CNR-MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  FARACI G. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  FARACI G. (CNR-MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  PENNISI A.r. (Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  PENNISI A.r. (CNR-MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  IRRERA A. (CNR-MATIS-Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Via Santa Sofia 64, 95123 Catania, ITA)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 356  号： 37-40  ページ： 1948-1950  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノ結晶を合成して,HOPG基板に堆積した。ミクロRaman分光分析から,Siナノ結晶に著しいレーザ加熱が誘起され,局所温度の上昇をひき起こす可能性が実証された。結局,Ramanピーク位置と線幅がバルクSiと比べて修正されることがわかった。高い温度増加が表面フォノンモードの観測に有利に働く可能性を論じた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノ結晶 ,  化学合成 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  基板 ,  *顕微Raman分光法 ,  *レーザ蒸着 ,  レーザ加熱 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： HOPG

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ナノ結晶 ,  レーザ誘起