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J-GLOBAL ID：201002269187446548   整理番号：10A1124740

分光偏光解析法による22KにおけるInAs臨界点エネルギー

InAs critical-point energies at 22 K from spectroscopic ellipsometry

著者 (8件)： KIM Tae Jung (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  YOON Jae Jin (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  HWANG Soon Yong (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  JUNG Yong Woo (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  GHONG Tae Ho (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  KIM Young Dong (Dep. of Physics, Nano-Optical Property Lab., Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR) ,  KIM Hyejung (Res. Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 115, Taiwan) ,  CHANG Yia-chung (Res. Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 115, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 17  ページ： 171912  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分光偏光解析法で求めたInAsの22Kにおける0.74~6.54eVの誘電関数データを報告する。室温に比べ,臨界点構造は青方偏移し有意に尖鋭化した。4.0~5.6eVのE₂エネルギー領域におけるE₀′,E₂^Δ,E₂,E₀′+Δ₀′,E₂′パターンは室温では分解できなかったが,22Kでは明確に分離できた。数値的に計算した二次エネルギー導関数に線形状を当てはめてこれらの構造を生む臨界点のエネルギーを決定し,それらのBrillouin帯位置を線形拡張Slater型軌道法を用いたバンド構造計算により同定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 偏光解析法 ,  *臨界点 ,  *ヒ化インジウム ,  半導体材料 ,  誘電関数 ,  Brillouin帯 ,  Slater型軌道関数 ,  青方偏移 ,  *エネルギー ,  バンド構造
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  *臨界点エネルギー

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分光偏光解析法 ,  InAs ,  臨界点 ,  エネルギー