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J-GLOBAL ID：201002269283073345   整理番号：10A0861602

Zn(Fe)OとZn(FeAl)O薄膜の温度に依存したキャリア誘起強磁性

Temperature dependent carrier induced ferromagnetism in Zn(Fe)O and Zn(FeAl)O thin films

著者 (9件)： CHATTOPADHYAY S. (Dep. of Physics and Meteorology, Indian Inst. of Technol. Kharagpur, West Bengal, 721302, IND) ,  NATH T.k. (Dep. of Physics and Meteorology, Indian Inst. of Technol. Kharagpur, West Bengal, 721302, IND) ,  NATH T.k. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  BEHAN A.j. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  NEAL J.r. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  SCORE D. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  FENG Q. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  FOX A.m. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR) ,  GEHRING G.a. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Sheffield, Sheffield S37RH, GBR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 2  ページ： 381-387  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気イオンFeドープZnOおよび,一部ではあるが,1%のAlドーブZnOのエピタキシャル膜で,室温での強磁性秩序化の明確な証拠が明らかになったが,膜中に大量の常磁性モーメントも含有していることが明らかになった。強磁性と常磁性の全寄与を,低温SQUID測定から推論した。これらの膜において,遷移金属イオンごとの磁化とキャリア数対ドナー数比率の間の明確な相関関係が明らかになり,キャリア誘起強磁性の理論を確立した。不純物状態を有する酸化物半導体の電気的構造の改善によって,最も良い実験データが得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  SQUID ,  強磁性 ,  常磁性 ,  温度依存性 ,  鉄 ,  *磁化特性 ,  X線回折
準シソーラス用語： キャリア誘起強磁性

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  Fe ,  薄膜 ,  キャリア ,  誘起 ,  強磁性