PUSHPA N. について
Dep. of Studies in Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND について
PRAVEEN K.c. について
Dep. of Studies in Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND について
GNANA PRAKASH A.p. について
Dep. of Studies in Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND について
PRABHAKARA RAO Y.p. について
Bharath Electronics Ltd., Jalahalli, Bangalore 580 097, IND について
TRIPATI Ambuj について
Inter Univ. Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, IND について
REVANNASIDDAIAH D. について
Dep. of Studies in Physics, Univ. of Mysore, Manasagangotri, Mysore 570 006, IND について
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment について
電力トランジスタ について
Si半導体検出器 について
NPN接合 について
重イオン照射 について
フッ素 について
10-100MeV について
リチウム について
金属イオン について
照射損傷 について
利得 について
劣化 について
電流電圧特性 について
多価イオン について
パワートランジスタ について
フッ素イオン について
リチウムイオン について
信号劣化 について
半導体の放射線による構造と物性の変化 について
トランジスタ について
シリコン について
パワートランジスタ について
イオン について
イオン照射効果 について
解析 について