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J-GLOBAL ID：201002269635784670   整理番号：10A0875663

Cu(100)面のチオラート誘起横歪

Thiolate-induced lateral distortion of the Cu(100) surface

著者 (6件)： SHEPPARD D.c. ,  WALKER M. ,  MCCONVILLE C.f. ,  WOODRUFF D.p. ,  NOAKES T.c.q. ,  BAILEY P.
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 604  号： 19-20  ページ： 1727-1732  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100keV H⁺入射イオンによる中間エネルギーイオン散乱(MEIS)を用いて,Cu(100)(2×2)-CH₃S(メチルチオラート)相におけるCu(100)面の吸着物誘起歪を調べた。Cu(100)上より15%大きいCu-Cu間隔を持つCu(111)のメチルチオラート誘起擬似(100)再構成の以前の識別は,整合(2×2)相におけるCu(100)上で,四配位中空中のチオラートを囲むCu原子の横放射状展開が起こるという提案をもたらした。[-110],[-100],[-211]方向における入射の散乱イオン収率変化は0.12±0.04Åのそのような横シフトと一致している一方,MEISブロッキング曲線下降変化は,これらの横シフトが0.08±0.04Åの最外表層間隔の外側拡大を伴うことを示す。この局所歪は吸着物誘起圧縮応力に起因している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅 ,  *チオラート ,  横方向 ,  *歪 ,  イオン ,  イオン散乱 ,  中間エネルギー領域 ,  核間距離 ,  *表面再構成 ,  原子 ,  収率 ,  ブロッキング ,  曲線 ,  表層 ,  圧縮応力
準シソーラス用語： 吸着物

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

物質索引 (1件)： メチルチオラート

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  チオラート ,  誘起 ,  歪