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J-GLOBAL ID：201002269648375176   整理番号：10A0626921

光起電力応用のために532nmレーザでパターニングしたa-Si:H薄膜の屈折率変化の研究

Study of the refractive index change in a-Si:H thin films patterned by 532nm laser radiation for photovoltaic applications

著者 (6件)： COLINA M. (Centro Laser UPM, Univ. Politecnica de Madrid, Ctra. de Valencia Km 7.3, 28031 Madrid, ESP) ,  MOLPECERES C. (Centro Laser UPM, Univ. Politecnica de Madrid, Ctra. de Valencia Km 7.3, 28031 Madrid, ESP) ,  HOLGADO M. (Centro Laser UPM, Univ. Politecnica de Madrid, Ctra. de Valencia Km 7.3, 28031 Madrid, ESP) ,  GANDIA J. (Dept. de Energias Renovables, Energia Solar Fotovoltaica, CIEMAT, Avda, Complutense 22, 28040 Madrid, ESP) ,  NOS O. (CeRMAE Dept. Fisica Aplicada i Optica, Univ. de Barcelona, Av. Diagonal 647, 08028 Barcelona, ESP) ,  OCANA J.l. (Centro Laser UPM, Univ. Politecnica de Madrid, Ctra. de Valencia Km 7.3, 28031 Madrid, ESP)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 18  ページ： 5331-5339  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)のレーザスクライビングは薄膜光起電力モジュール作製の重要なステップである。このプロセスの過程で,レーザアブレーションメカニズムに付随する熱-機械的効果によって熱損傷が発生する。この観点で,アブレーション領域の近傍の材料状態は最終的デバイスの電気特性に重大な影響を及ぼす。今回,可視-赤外Fourier変換分光によるアブレーション領域周辺の材料の屈折率変化の包括的解析を提案した。さらに材料麻微細構造評価のために,Raman分光を補完的に用いた。この結果,アブレーショングルーブの中心からの距離が増すと屈折率変化が減少することが分かった。同様に,結晶から非晶質への変化をグルーブからの距離の関数として認めた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： YAGレーザ ,  *パターン形成 ,  *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *レーザアブレーション ,  Ramanスペクトル ,  *屈折率 ,  相転移 ,  熱傷 ,  レーザ照射 ,  *太陽電池 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： スクライビング ,  光起電力デバイス ,  *水素化アモルファスシリコン ,  薄膜太陽電池

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光起電力 ,  応用 ,  レーザ ,  パターニング ,  Si ,  薄膜 ,  屈折率変化 ,  研究