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J-GLOBAL ID：201002269668305107   整理番号：10A0952611

高周波マグネトロンスパッタリングによるMoドープ酸化インジウムの構造と特性に対する蒸着温度の影響

Effects of deposition temperature on structure and properties of mo-doped indium oxide by radio frequency magnetron sputtering

著者 (6件)： HAI Yang (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...) ,  SHU-YU Zhang (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...) ,  WEI Liu (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...) ,  GUO Yuan (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...) ,  JIAN-MING Li (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...) ,  XIAO-PING Su (Beijing Guojing Infrared Optical Technol. Co., Ltd, Beijing General Res. Inst. for Nonferrous Metals, Beijing 100088 ...)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 85  号： 2  ページ： 211-213  発行年： 2010年08月20日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoドープIn₂O₃(IMO)の透明導電性酸化物(TCO)薄膜をガラス基板上へ2wt%MoドープIn₂O₃セラミックターゲットの高周波マグネトロンスパッタリングにより調製した。蒸着は酸素-アルゴン雰囲気下で,蒸着温度を200°Cから350°Cへ変えて行った。IMO薄膜の結晶構造と厚みはX線回折(XRD)と走査電子顕微鏡(SEM)により評価した。蒸着温度がIMO薄膜の電気特性と光透過率特性に及ぼす効果を各々4点プローブHallシステムとUV-VIS-NIRスペクトロメータにより調べた。350°Cで抵抗率が6.9×10^-4Ωcm,キャリア移動度が45cm²v^-1s^-1の最適ドープIMO薄膜が得られた。ガラス基板上のIMO膜の平均光透過率は近赤外領域で80%以上であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化インジウム ,  モリブデン ,  ドーピング ,  基板温度 ,  結晶構造 ,  X線回折分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  *光透過 ,  キャリア移動度 ,  可視スペクトル ,  赤外スペクトル ,  スパッタ蒸着 ,  蒸着膜 ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： *透明導電性酸化物

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  Mo ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  蒸着温度