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J-GLOBAL ID：201002269685879214   整理番号：10A0229769

分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN/Si(111)における転位の電子構造に関する走査型トンネル顕微鏡及び分光研究

Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of the electronic structure of dislocations in GaN/Si(111) grown by molecular-beam epitaxy

著者 (5件)： CHIU Ya-ping (Dep. of Physics, Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung 80424 , Taiwan) ,  CHEN Bo-chih (Dep. of Physics, Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung 80424 , Taiwan) ,  HUANG Bo-chao (Dep. of Physics, Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung 80424 , Taiwan) ,  SHIH Min-chuan (Dep. of Physics, Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung 80424 , Taiwan) ,  TU Li-wei (Dep. of Physics, Center for Nanoscience and Nanotechnology, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung 80424 , Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 8  ページ： 082107  発行年： 2010年02月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 断面走査型トンネル顕微鏡法を使って,分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN(1-100)の表面形態及び対応する劈開表面に終端した転位の電子状態が相関することを実証した。走査型トンネル分光法と電子構造への転位の分析両方を行って,転位を囲む領域がGaNの基礎バンドギャップ中にギャップ状態を生じると推測した。電子構造の認識を詳細に吟味して,この欠陥準位は,伝導バンド端から価電子バンド端より1.2V上の準位への遷移が関係する黄ルミネセンスの可能が生じることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ケイ素 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  MBE成長 ,  *転位【結晶】 ,  *欠陥準位 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  トンネル分光法 ,  表面性状 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  光ルミネセンス ,  スペクトル線帰属

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  Si ,  転位 ,  電子構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  分光 ,  研究