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J-GLOBAL ID：201002269722641118   整理番号：10A0273724

フッ素化ベンゼンチオール単分子層によって官能基化した酸化第二銅単一ナノワイヤ表面の電気および光電子応答:分子工学接触と表面双極子の影響

Electrical and Optoelectronic Response of Cupric Oxide Single Nanowire Surface Functionalized with a Fluorinated Benzenethiol Monolayer: Effects of Molecularly Engineered Contact and Surface Dipole

著者 (4件)： WANG Lixiang (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  WANG Lixiang (Henan Univ., Henan, CHN) ,  WONG Ka-wai (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  DU Zuliang (Henan Univ., Henan, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 4  ページ： 1959-1962  発行年： 2010年02月04日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直流誘電泳動により,金微小電極対上へ単一酸化第二銅ナノワイヤ(CuO NW)素子を調製した後,フッ素化ベンゾチオール[2,3,5,6-テトラフルオロ-4(トリフルオロメチルベンゾチール),4-フルオロベンゾチール]自己集合単一層(FBT-SAM)により表面官能化した。NW-電極接触に及ぼすFBT-SAMの影響について調べ,次の結果を得た。FBT-SAMにより単一CuO NWの電気的および光電子応答を調製可能である。FBT-SAMはNW-電極接触上に背中合わせSchottky障壁構造(BTB SB)を構築し,光電流応答を向上させる。本研究は,最良の光起電CuO NW素子達成を目的としないが,CuO NW表面上のFBT-SAMの単純な適用により微小調整が可能なことを実証した。

シソーラス用語： *酸化第二銅 ,  *ナノワイヤ ,  *自己組織系 ,  *単分子層 ,  電気泳動 ,  Schottky障壁 ,  光電素子 ,  電流電圧特性 ,  官能化 ,  金電極 ,  光伝導 ,  繊維
準シソーラス用語： *自己集合単一層 ,  単繊維 ,  表面官能化 ,  誘電泳動

分類 (1件)： 光電デバイス一般  (NC03081P)

物質索引 (2件)： 2,3,5,6-テトラフルオロ-4-(トリフルオロメチル)ベンゼン-1-チオール ,  4-フルオロベンゼン-1-チオール

タイトルに関連する用語 (10件)： フッ素化 ,  ベンゼンチオール ,  単分子層 ,  官能基化 ,  酸化第二銅 ,  ワイヤ表面 ,  光電子 ,  応答 ,  分子工学 ,  双極子