文献

J-GLOBAL ID：201002269882889272   整理番号：10A0135736

Al/Alq₃/ナノ構造MoO₃/Alq₃/p⁺-Si構造を用いる有機双安定素子の電気特性

Electrical characteristics of an organic bistable device using an Al/Alq₃/nanostructured MoO₃/Alq₃/p⁺-Si structure

著者 (3件)： CHANG Tzu-yueh (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 300 ...) ,  CHENG You-wei (Dep. of Photonics and Display Inst., National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  LEE Po-tsung (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 300 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 4  ページ： 043309  発行年： 2010年01月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/Alq₃/ナノ構造MoO₃/Alq₃/p⁺-Si構造のデバイスの電気的性質を有機抵抗スイッチングメモリ用に調べた。デバイスの伝導を電気的に高伝導あるいは低伝導に電気的にスイッチできる。デバイスの双安定スイッチングは,Alq₃薄膜間に挿入されたMoO₃のナノクラスター状層に起因した。デバイスが高伝導にスイッチされると,空間電荷場がデバイスのキャリア輸送を支配した。空間電荷場はMoO₃ナノクラスター状層にトラップされた電荷から生じた。デバイスの保持測定と書き込み-読み出し-消去-読み出しサイクルも提示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム ,  *ナノ構造 ,  *酸化モリブデン ,  ケイ素 ,  *電気抵抗 ,  *固体素子 ,  *スイッチング ,  ナノクラスタ ,  空間電荷 ,  記憶装置
準シソーラス用語： *双安定素子 ,  メモリ

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

物質索引 (1件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  ナノ構造 ,  双安定素子 ,  電気特性