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J-GLOBAL ID：201002269884907260   整理番号：10A0964790

Alドープ及びGaドープBaTiO₃における強誘電性のエージング効果を制御する動力学

Kinetics controlled aging effect of ferroelectricity in Al-doped and Ga-doped BaTiO₃

著者 (5件)： GUO Y. Y. (Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and International ...) ,  QIN M. H. (Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and International ...) ,  WEI T. (Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and International ...) ,  WANG K. F. (Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and International ...) ,  LIU J.-m. (Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, People’s Republic of China and International ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 11  ページ： 112906  発行年： 2010年09月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al³⁺及びGa³⁺をドープしたBaTiO₃セラミックの強誘電エージングの実験から,点欠陥(酸素空孔)のマイグレーション動力学及び対称適合短距離秩序シナリオに基づく熱力学駆動力の決定的な役割を明らかにした。Ga³⁺又は小さなAl³⁺イオンのドーピングは明らかにエージング効果を示すが,高レベルのAl³⁺ドーピングはエージング効果を抑制する。この抑制は主として格子の縮小による酸素空孔の動力学的に制限されたマイグレーションに起因しており,他のメカニズムも意味がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *チタン酸バリウム ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  セラミック ,  *経時変化 ,  空格子点 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  活性化エネルギー ,  短範囲規則度 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  曲線 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： エージング【変化】 ,  酸素空孔 ,  短距離秩序度 ,  二重ヒステリシス曲線

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al ,  ドープ ,  Ga ,  BaTiO3 ,  強誘電性 ,  エージング ,  動力学