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J-GLOBAL ID：201002269969857571   整理番号：10A0904163

NiとAlを共ドープしたZnO膜の構造および物理特性に及ぼす真空磁気アニーリングの効果

Effect of vacuum magnetic annealing on the structural and physical properties of the Ni and Al co-doped ZnO films

著者 (3件)： YU Mingpeng ,  QIU Hong ,  CHEN Xiaobai
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 23  ページ： 7174-7182  発行年： 2010年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約300nm厚のZn_0.87Al_0.06Ni_0.07O,Zn_0.83Al_0.06Ni_0.11OおよびZn_0.81Al_0.04Ni_0.15O膜をガラス基板上に300KでZnO:AlおよびNiターゲットを同時スパッタすることにより堆積した。膜は真空中673Kで2時間,膜面に沿って印加した4.8×10⁴A/mの磁界のもとでアニールし,磁界無しで室温まで冷却した。膜は全てウルツ鉱型構造であり,基板に垂直な薄い柱状結晶粒から構成されていた。アニーリングはZn_0.87Al_0.06Ni_0.07OおよびZn_0.83Al_0.06Ni_0.11Oに対して膜成長方向における(002)配向成長を促進し,またZn_0.81Al_0.04Ni_0.15O膜に対しては(100)配向成長を促進した。アニーリングは結晶粒径を僅かに増加させた。弱いNiの回折ピークが高Ni含有量のアニール膜で検出された。アニーリングは膜の室温強磁性を増大させた。磁化の温度依存性から,アニール膜ではCurie温度が400K以上になることが確認された。磁場印加下でアニールした膜は異方性磁気特性を示した。アニールしたZn_0.87Al_0.06Ni_0.07O膜は最低の抵抗率(8.73×10^-3Ωcm),最高の自由電子密度(1.73×10²⁰cm^-3)とHall移動度(4.16cm²V^-1s^-1)を有した。50Kから300Kまでの抵抗率の温度依存性から,キャリア輸送機構が低温領域ではMott可変領域ホッピングであり,高温域では熱励起バンド伝導であることが明らかになった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ニッケル ,  *アルミニウム ,  ドーピング ,  *焼なまし ,  *磁場効果 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  柱状晶 ,  結晶粒径 ,  *強磁性 ,  ホッピング伝導 ,  *スパッタ蒸着 ,  *磁化特性 ,  磁性半導体
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  可変領域ホッピング ,  希薄磁性半導体

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  Al ,  ドープ ,  ZnO ,  物理特性 ,  真空 ,  磁気アニーリング