文献

J-GLOBAL ID：201002270021415642   整理番号：10A0731438

スピン-軌道相互作用を含むCsAr van der Waals系の一電子擬ポテンシャル研究

One-Electron Pseudopotential Investigation of CsAr van der Waals System Including the Spin-Orbit Interaction

著者 (3件)： DHIFLAOUI J. (Fac. Sci. de Monastir, Monastir, TUN) ,  BERRICHE H. (Fac. Sci. de Monastir, Monastir, TUN) ,  BERRICHE H. (King Khalid Univ., Abha, SAU)
資料名： Journal of Physical Chemistry A  (Journal of Physical Chemistry A)
巻： 114  号： 26  ページ： 7139-7145  発行年： 2010年07月08日 
JST資料番号： C0334B  ISSN： 1089-5639  CODEN： JPCAFH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルゴン化合物 ,  *セシウム化合物 ,  *van der Waals分子 ,  スピン-軌道相互作用 ,  擬ポテンシャル法 ,  基底状態 ,  励起状態 ,  *ポテンシャルエネルギー曲線 ,  SCF法 ,  CCSD法 ,  ポテンシャル ,  解離エネルギー
準シソーラス用語： *アルゴン化セシウム ,  コアポテンシャル ,  内殻ポテンシャル

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン-軌道相互作用 ,  VAN ,  電子 ,  擬ポテンシャル ,  研究