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J-GLOBAL ID：201002270574996384   整理番号：10A0621022

SiドープInNにおけるIn空格子点

In-vacancies in Si-doped InN

著者 (14件)： RAUCH C. (Aalto Univ., Espoo, FIN) ,  REURINGS F. (Aalto Univ., Espoo, FIN) ,  TUOMISTO F. (Aalto Univ., Espoo, FIN) ,  VEAL T. D. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  MCCONVILLE C. F. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  LU H. (Cornell Univ., New York, USA) ,  SCHAFF W. J. (Cornell Univ., New York, USA) ,  GALLINAT C. S. (Univ. California, California, USA) ,  KOBLMUELLER G. (Univ. California, California, USA) ,  SPECK J. S. (Univ. California, California, USA) ,  EGGER W. (Univ. der Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU) ,  LOEWE B. (Univ. der Bundeswehr Muenchen, Neubiberg, DEU) ,  RAVELLI L. (Universita degli studi di Trento, Povo (TN), ITA) ,  SOJAK S. (Slovak Univ. Technol. in Bratislava, Bratislava, SVK)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 5  ページ： 1083-1086  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマMBE法を用い,c面Al₂O₃に200nmのGaNバッファ層を堆積させたあと,Si濃度1×10¹⁸~6.6×10²⁰cm^-3と変化させて,SiドープInN膜を作製した。試料は単色陽電子ビームで評価した。陽電子寿命およびDoppler拡幅化測定の組合せにより,In空格子点(V_In)アクセプタを見出した。Siのドーピング量を増加させるとV_Inは増加し,最大7×10¹⁷cm^-3に達した。欠陥の分布は不均一で,基板と層の界面に向かってV_In濃度は増加した。また,界面近傍では,いくつかのV_Inを含む大きな空格子点クラスタが形成された。空格子点濃度は,第一原理計算から予測されるものより数桁高かった。

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  バッファ層 ,  窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  *空格子点 ,  MBE成長 ,  陽電子ビーム ,  寿命 ,  Doppler効果 ,  拡幅 ,  クラスタ ,  *陽電子消滅
準シソーラス用語： プラズマMBE ,  欠陥クラスタ ,  陽電子寿命

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ドープ ,  InN ,  空格子点