文献

J-GLOBAL ID：201002270736661551   整理番号：10A1539556

イオン性液体ゲートを用いる高性能のn型有機電界効果トランジスタ

High-performance n-type organic field-effect transistors with ionic liquid gates

著者 (5件)： ONO S. (DPMC and GAP, Univ. of Geneva, 24 quai Ernest-Ansermet, CH1211 Geneva, CHE) ,  MINDER N. (DPMC and GAP, Univ. of Geneva, 24 quai Ernest-Ansermet, CH1211 Geneva, CHE) ,  CHEN Z. (Polyera Corp., 8025 Lamon Avenue, Skokie, Illinois 60077, USA) ,  FACCHETTI A. (Polyera Corp., 8025 Lamon Avenue, Skokie, Illinois 60077, USA) ,  MORPURGO A. F. (DPMC and GAP, Univ. of Geneva, 24 quai Ernest-Ansermet, CH1211 Geneva, CHE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 143307  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン性液体ゲートとN,N′′-ビス(n-アルキル)-(1,7と1,6)-ジシアノペリレン-3,4:9,10-ビス(ジカルボキシイミド)単結晶を用いて,高性能のn型有機電界効果トランジスタを開発した。輸送測定は,これらのデバイスが,無視できるゲートしきい電圧と5.0cm²/Vsの移動度値を持ち,大気環境で再現性良く動作することを示した。これらの移動度値は,基本的にはイオン性液体がない,ゲート誘電体として真空あるいは空気を用いる同じデバイスて測定した値と同じであった。この結果は,イオン性液体とn型有機半導体の界面は,小さいゲート電圧で動作する高品質のn型有機トランジスタを実現するのに適していることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン液体 ,  *絶縁材料 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  単結晶 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  *N型半導体 ,  環境 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： イオン性液体 ,  *ゲート絶縁体 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  大気環境

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン性液体 ,  ゲート ,  高性能 ,  有機電界効果トランジスタ