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J-GLOBAL ID：201002270771832342   整理番号：10A0714928

200°C動作SiCスイッチングモジュールの開発

Fabrication of 200°C-operated SiC Switching Module

著者 (10件)： 徳田人基 (住友電気工業) ,  田中保宣 (産業技術総合研) ,  仲川博 (産業技術総合研) ,  青柳昌宏 (産業技術総合研) ,  福田憲司 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  築野孝 (住友電気工業) ,  星野孝志 (住友電気工業) ,  並川靖生 (住友電気工業) ,  林秀樹 (住友電気工業)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 13  号： 4  ページ： 280-287  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,SiCワイドギャップ半導体デバイスを200°C以上の高温で動作させることが可能な高温動作対応実装テストモジュールの設計と試作及びその評価を行った。このモジュールはSiCチップ,DBC配線板,Cuヒートスプレッダ,外部接続用Cu端子で構成されている。高温動作対応実装テストモジュールの放熱シミュレーションを行った結果,測定結果とほぼ一致することを確認して,高温動作対応実装モジュールの熱設計についての設計方針を得た。また,具体的な高温動作対応実装モジュールの実証を目指して,横型表面電界緩和-SiC-接合電界効果トランジスタとSiCショットキーバリアダイオードを搭載したスイチングモジュールを試作した。これをDC-DCコンバータに組み込んでデバイス温度200°Cの条件下でスイッチング周波数45kHzで動作することを確認した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ダイボンディング ,  リフロソルダリング ,  *DC-DCコンバータ ,  *スイッチング素子 ,  はんだ ,  鉛 ,  空隙率 ,  マルチチップ実装 ,  *高温 ,  *動作 ,  表面電位 ,  Schottky障壁ダイオード ,  ヒートシンク ,  金属板
準シソーラス用語： 無鉛はんだ ,  ボイド比 ,  RESURF ,  ヒートスプレッダ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (11件)：

• 1) 只野 博:“自動車における次世代パワー素子への期待,”2003年度新機能素子シンポジウム〈セッション4:次世代パワーエレクトロニクス〉「次世代パワー素子への期待」2003.10.9
• 2) 赤木泰文:“超低損失・高速パワーデバイスの使用を前提とした次世代高圧電力変換回路,”2003年新機能素子シンポジウム〈セッション4:次世代パワーエレクトロニクス〉「パワーエレクトロニクス」2003.10.9
• 3) 大橋弘通:“パワーデバイスの現状と将来展望,”FEDジャーナル,Vol. 11, No. 2, pp. 3–6, 2000
• 4) 荒井和雄,吉田貞史,他:“SiC素子の基礎と応用,”オーム社,2003
• 5) 特集記事:覚醒するSiC日経エレクトロニクス,pp. 45–67, 2008.11.17

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  スイッチング ,  モジュール ,  開発