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J-GLOBAL ID：201002270814124681   整理番号：10A0731662

40nmコンタクトホール用のメッシュパターン形成工程

Mesh Patterning Process for 40nm Contact Hole

著者 (9件)： LEE Kilyoung (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  BOK Cheolkyu (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  KIM Jaeheon (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  SHIM Hyunkyung (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  HEO Junggun (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  LEE Junghyung (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  KIM Hyung-Soo (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  YIM Donggyu (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  PARK Sung-Ki (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.2  ページ： 76391S.1-76391S.8  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンタクトホールのパターン形成は線/空間パターン形成よりも困難である。40nmの微細なコンタクトホールを撮影するためのLLE(リソ-リソ-エッチ)工程の実験結果を示した。第一パターンに垂直に第二パターンを形成するメッシュパターン形成法を用いてコンタクトホールを形成した。各ハーフピッチ40nm線/空間パターン形成に極端な軸外し双極子設定を適用した。コンタクトホール撮影用にキャップ凍結と自己凍結を含むLLE工程を実証し,両者の問題点を比較して論じた。

シソーラス用語： 回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  *多重露光 ,  *コンタクトホール ,  エッチング
準シソーラス用語： *二重パターン形成

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： コンタクトホール ,  メッシュ ,  形成工程