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J-GLOBAL ID：201002270863994357   整理番号：10A1093135

原子的に薄いMoS₂:新しい直接ギャップ半導体

Atomically Thin MoS₂: A New Direct-Gap Semiconductor

著者 (5件)： MAK Kin Fai (Columbia Univ., New York, USA) ,  LEE Changgu (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  HONE James (Columbia Univ., New York, USA) ,  SHAN Jie (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  HEINZ Tony F. (Columbia Univ., New York, USA)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 105  号： 13  ページ： 136805.1-136805.4.  発行年： 2010年09月24日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *超薄膜 ,  化合物半導体 ,  *バンド構造 ,  電子遷移 ,  単分子層 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  光吸収スペクトル ,  膜 ,  光伝導 ,  量子閉込め ,  量子効率
準シソーラス用語： 直接遷移 ,  自立膜

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子 ,  MoS2