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J-GLOBAL ID：201002270991188525   整理番号：10A0906147

ハイブリッドトランジスタ中のポリ(3-ヘキシルチオフェン)の正孔移動度への酸化亜鉛のドーピングの効果

Effect of doping of zinc oxide on the hole mobility of poly(3-hexylthiophene) in hybrid transistors

著者 (6件)： HAMMER Maria S. (Experimental Physics VI, Fac. of Physics, Julius Maximilians Univ. of Wuerzburg, Am Hubland, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  DEIBEL Carsten (Experimental Physics VI, Fac. of Physics, Julius Maximilians Univ. of Wuerzburg, Am Hubland, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  PFLAUM Jens (Experimental Physics VI, Fac. of Physics, Julius Maximilians Univ. of Wuerzburg, Am Hubland, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  PFLAUM Jens (Functional Materials for Energy Technol., Bavarian Centre for Applied Energy Res. (ZAE Bayern), Am Hubland, 97074 ...) ,  DYAKONOV Vladimir (Experimental Physics VI, Fac. of Physics, Julius Maximilians Univ. of Wuerzburg, Am Hubland, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  DYAKONOV Vladimir (Functional Materials for Energy Technol., Bavarian Centre for Applied Energy Res. (ZAE Bayern), Am Hubland, 97074 ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 9  ページ： 1569-1577  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機高分子ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)と無機酸化亜鉛に基づくハイブリッド電界効果トランジスタを調べた。本研究では,高分子トランスポート層を利用するハイブリッドトランジスタについてのはじめの研究の1つを報告する。ゾル-ゲル法によるZnOをAlの0.8から10at%の間のドーピングによって変性させた。これによって,酸化亜鉛の特性,即ち,電子移動度と形態の系統的な変動が可能になる。ドーピングレベルの増加と共に,電子移動度が2オーダー減少する一方で,ドーピングが酸化亜鉛層の形態変化を強化し,無機マトリックスへのP3HTの進入が可能になることが観察される。X線反射率(XRR)測定から,種々のドーピングレベルでの界面の形態の顕著な変化が確認される。ZnOのドーピングがZnO/P3HTハイブリッド中の電荷移動を調節するための手段であることをSiO₂絶縁体上の単一注入金属(金ボトム・コンタクト)を用いて示す。P3HT中の正孔移動度への酸化亜鉛層の影響が観察される。これをZnOのAlドーピングによって修正することができる。したがって,2%Alドーピングのハイブリッド系の最大正孔移動度は5×10^-4cm²V^-1s^-1が得られた。5at%Alドーピングは,有機/無機ハイブリッド系中のバランスのとれた移動度をもたらすが,高度のオフ電流のために小さなオン/オフ比ももたらす。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  *キャリア移動度 ,  *酸化亜鉛 ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゾル-ゲル法 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  添加物効果 ,  モルフォロジー ,  高分子薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *正孔移動度 ,  電子移動度 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  3-ヘキシルチオフェン ,  正孔移動度 ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング