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J-GLOBAL ID：201002271215376075   整理番号：10A0334423

室温で動作するGe-on-Si

Ge-on-Si laser operating at room temperature

著者 (5件)： LIU Jifeng (MIT Microphotonics Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge ...) ,  SUN Xiaochen (MIT Microphotonics Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge ...) ,  CAMACHO-AGUILERA Rodolfo (MIT Microphotonics Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge ...) ,  KIMERLING Lionel C. (MIT Microphotonics Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge ...) ,  MICHEL Jurgen (MIT Microphotonics Center, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge ...)
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 35  号： 5  ページ： 679  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のモノリシックレーザは大量且つ大規模の電子光学集積にとって理想的である。Geは擬直接ギャップ特性とSi相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術との両立性から興味深い候補材料である。筆者らは最近,引張歪とn型ドーピングを用いて,バンド調節したGe-on-Siの直接ギャップ遷移からの光ルミネセンス,エレクトロルミネセンス,光学利得を室温で実証した。本論文では,端面発光導波路素子を用いて,Ge-on-Siの直接ギャップ遷移からのレーザ発振を室温で初めて観測した結果を報告する。発光は1590~1610nmの利得スペクトル,利得増大に伴う混合TE/TMから支配的なTEへの偏光発展と狭線化,及び明白な閾値特性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ドーピング ,  面発光レーザ ,  *光導波路 ,  レーザ発振 ,  TEモード ,  TMモード ,  偏光 ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  *半導体レーザ ,  放射強度 ,  *発光スペクトル

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 室温 ,  Ge ,  Si