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J-GLOBAL ID：201002271239706963   整理番号：10A0640441

(0001)SiC上の薄いAlN/GaN構造中の歪と結晶欠陥

Strain and crystal defects in thin AlN/GaN structures on (0001) SiC

著者 (2件)： FALEEV N. (Dep. of Electrical, Computer, and Energy Engineering, Ira A. Fulton Schools of Engineering, Arizona State Univ. ...) ,  LEVIN I. (Ceramics Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 11  ページ： 113529  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着法(MOCVD)と水素化物気相エピタクシー(HVPE)を用いて(0001)SiC上上に作成した薄いGaN/AlNヘテロ構造(全厚み,約480nm)の歪緩和と欠陥密度を高分解X線回折を用いて比較した。高分解X線回折測定(ロッキングカーブと逆空間マッピング)の結果を,透過型電子顕微鏡測定から確認した。異なる方法で作成した膜は,特別な成長条件と関係した異なる歪緩和と欠陥密度を示した。より低い蒸着速度で作成したMOCVD膜では,AlNとGaN層の弾性歪はエピタキシャル成長の初期の段階で緩和し,層全体においてほぼ同様な貫通転位セグメント(TDS)密度を生じた。さらに,これらの層の”第2”弾性率は点欠陥の過剰が原因であることが分かった。より高い(5~10倍)の蒸着速度で作成したHVPE膜では,これらの層は過剰緩和を示し,GaN層におけるTDS密度はAlNにおけるものよりも1桁大きい値となった。MOCVD成長試料では面欠陥が存在しないが,HVPE膜ではGaNとAlNの両層においてかなりの積層欠陥密度が見られた。”第2”拡張欠陥の形成を,エピタキシャル成長の際の点欠陥の生成と構造変化によって説明した。2つのヘテロ構造における歪レベル,型,および欠陥密度/分布の違いは,MOCVDとHVPEに対する異なる成長速度に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *歪 ,  *格子欠陥 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  素子構造 ,  緩和現象 ,  欠陥密度 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  透過型電子顕微鏡 ,  堆積速度 ,  貫通転位 ,  点欠陥 ,  積層欠陥
準シソーラス用語： *結晶欠陥 ,  金属有機化学蒸着法 ,  水素化物気相エピタクシ- ,  ヘテロ構造 ,  歪緩和 ,  蒸着速度 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  AlN ,  GaN ,  歪 ,  結晶欠陥