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J-GLOBAL ID：201002271296707127   整理番号：10A0048981

III-窒化物/珪素タンデム型太陽電池の実証

Demonstration of a III-Nitride/Silicon Tandem Solar Cell

著者 (7件)： REICHERTZ Lothar A. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  GHERASOIU Iulian (RoseStreet Labs Energy, AZ, USA) ,  YU Kin Man (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  KAO Vincent M. (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WALUKIEWICZ Wladek (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  WALUKIEWICZ Wladek (RoseStreet Labs Energy, AZ, USA) ,  AGER Joel W.,III (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 12  ページ： 122202.1-122202.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-窒化物/珪素タンデム型太陽電池の原理実証を報告する。Al蒸着したp型表面を持つ標準のn型Siウエハ上に分子ビームエピタクシー(MBE)により成長させたp型及びn型GaN層からなる0.25cm²二重注入太陽電池の光起電力活性を実証した。GaN接合の付加的UVレーザ照射と1×sun AM1.5G条件下で,2.4Vの開回路電圧(V_OC)を測定した。種々の照明条件下で実験を行い,両接合が活性で直列に動作することを検証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *直列接続 ,  ケイ素 ,  MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  光起電力 ,  ウエハ【IC】 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  電圧
準シソーラス用語： Siウエハ ,  開回路電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (10件)：

• GEISZ, J. F. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 023502
• GREEN, M. A. Prog. Photovoltaics. 2009, 17, 320
• SOGA, T. J. Cryst. Growth. 1997, 174, 579
• WU, J. J. Appl. Phys. 2003, 94, 6477
• AGER, J. W. III. Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2007. 2007, 215

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物 ,  珪素 ,  タンデム ,  太陽電池 ,  実証