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J-GLOBAL ID：201002271491434232   整理番号：10A1041358

GaのGaN(001)上への吸着と脱着の動力学 Wolkenstein理論の応用

Adsorption and desorption kinetics of Ga on GaN(0001): Application of Wolkenstein theory

著者 (4件)： BRUNO Giovanni (Inst. Inorganic Methodologies and of Plasmas (IMIP)-CNR, Bari, ITA) ,  LOSURDO Maria (Inst. Inorganic Methodologies and of Plasmas (IMIP)-CNR, Bari, ITA) ,  KIM Tong-Ho (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  BROWN April (Duke Univ., North Carolina, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 7  ページ： 075326.1-075326.7  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ガリウム ,  *脱着 ,  *吸着 ,  層 ,  動力学 ,  *偏光解析法 ,  分光測光 ,  気相 ,  固相 ,  平衡 ,  *電子状態 ,  分極反転 ,  表面電荷 ,  表面反応 ,  活性化エネルギー ,  高次補正 ,  メタライゼーション ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 吸着層

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  GaN ,  吸着 ,  脱着 ,  動力学 ,  理論 ,  応用