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J-GLOBAL ID：201002271621577537   整理番号：10A0483820

半導体構造における電子-正孔プラズマ層から量子井戸へのエネルギー移動

Energy transfer from an electron-hole plasma layer to a quantum well in semiconductor structures

著者 (1件)： LYO S. K. (Sandia National Lab., New Mexico, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 11  ページ： 115303.1-115303.7  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *量子井戸 ,  *エネルギー移動 ,  *双極子相互作用 ,  *電子正孔プラズマ
準シソーラス用語： 双極子-双極子相互作用

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  正孔 ,  プラズマ ,  量子井戸 ,  エネルギー移動