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J-GLOBAL ID：201002271650677311   整理番号：10A0510953

大面積の,半導体ナノ有孔グラフェン材料の構築およびキャラクタリゼーション

Fabrication and Characterization of Large-Area, Semiconducting Nanoperforated Graphene Materials

著者 (5件)： KIM Myungwoong (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  SAFRON Nathaniel S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  HAN Eungnak (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  ARNOLD Michael S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin) ,  GOPALAN Padma (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 4  ページ： 1125-1131  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリンダ形成ジブロック共重合体をグラフェン上に集積して,ナノ有孔グラフェン材料を構築した。ナノパターン化したグラフェンをナノ有孔グラフェンと称し,ブロック共重合体(BCP)リソグラフィーに利用した。エッチングして,ナノスケールの六角形の孔配列を得た。グラフェン上をナノパターン化することによって,有効ギャップは102meVになり,コンダクタンス変調は室温およびDirac点(105K)にて,それぞれ,>40および>200であった。酸素プラズマ処理後,デバイスのホール移動度は>1cm²V^-1s^-1であった。

シソーラス用語： 半導体 ,  ナノ構造 ,  材料 ,  *グラファイト ,  有孔体 ,  ジブロック共重合体 ,  パターン形成 ,  リソグラフィー ,  エッチング ,  六角形 ,  細孔 ,  間隙 ,  コンダクタンス ,  信号変調 ,  バンド構造 ,  プラズマ処理 ,  酸素 ,  *半導体素子 ,  Hall移動度 ,  面積 ,  X線光電子分光法 ,  Ramanスペクトル ,  *グラフェン ,  ナノ材料
準シソーラス用語： Dirac点 ,  XPS ,  ギャップ ,  *デバイス ,  ナノスケール ,  ナノ細孔 ,  パターン化 ,  大面積 ,  変調

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  有孔 ,  グラフェン ,  構築 ,  キャラクタリゼーション