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J-GLOBAL ID：201002271783598376   整理番号：10A0038030

点欠陥モデルの修正に基づくタンタルとニオブ酸化物膜のEISキャラクタリゼーション

EIS characterization of tantalum and niobium oxide films based on a modification of the point defect model

著者 (5件)： CABRERA-SIERRA Roman (Instituto Politecnico Nacional, Escuela Superior de Ingenieria Quimica e Industrias Extractivas, Academia de Quimica ...) ,  HALLEN Jose Manuel (Instituto Politecnico Nacional, Escuela Superior de Ingenieria Quimica e Industrias Extractivas, Departamento de ...) ,  VAZQUEZ-ARENAS Jorge (Chemical Engineering Dep., Univ. of Waterloo, 200 Univ. Avenue West, Waterloo, Ontario, Canada N2L 3G1) ,  VAZQUEZ Gerardo (Universidad Autonoma Metropolitana, Departamento de Quimica. Apdo. Postal 55-534, CP 09340, DF, MEX) ,  GONZALEZ Ignacio (Universidad Autonoma Metropolitana, Departamento de Quimica. Apdo. Postal 55-534, CP 09340, DF, MEX)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 638  号： 1  ページ： 51-58  発行年： 2010年01月05日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学インピーダンス分光法(EIS)研究を行い,0.1MKOH溶液中で定電圧で形成したタンタルとニオブ酸化物膜の受動特性を分析した。これらの受動材料の定量的キャラクタリゼーションは,分子状水素の形成を考慮した点欠陥モデル(PDM)骨格に基づく著者らの研究グループによって先に開発された伝達関数を通して行った。PDM予測基準にしたがって,Ta₂O₅及びNb₂O₅膜は固有のnタイプ半導体挙動を示し,これは伝達関数への適合から得たパラメータによって確認した。酸素空格子点の拡散係数はそれぞれTa₂O₅及びNb₂O₅で0.53±0.14×10^-16及び2.18±0.14×10^-16cm²s^-1であった。そしてアルカリ条件による欠陥の好都合な拡散を示す対応するヒドロキシル空格子点の拡散(2.73±0.02及び2.23±0.65×10^-16cm²s^-1)の僅かな増加を得た。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  *酸化ニオブ ,  *電気化学インピーダンス ,  スペクトロスコピー ,  点欠陥 ,  伝達関数 ,  N型半導体 ,  拡散係数 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  クロノアンペロメトリー ,  Nyquist線図 ,  Kramers-Kronig関係式 ,  統計解析
準シソーラス用語： インピーダンス分光法

分類 (1件)： 電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 点欠陥 ,  モデル ,  タンタル ,  ニオブ ,  酸化物膜 ,  EIS ,  キャラクタリゼーション