文献

J-GLOBAL ID：201002272070498858   整理番号：10A0362463

一般的二元化合物薄膜のエピタキシアル成長時のステップ分岐

Step bunching during the epitaxial growth of a generic binary-compound thin film

著者 (2件)： CERMELLI Paolo (Dipartimento di Matematica, Universita di Torino, Via Carlo Alberto 10, 10123 Torino, ITA) ,  JABBOUR Michel E. (Dep. of Mathematics, Univ. of Kentucky, Lexington, KY 40506, USA)
資料名： Journal of the Mechanics and Physics of Solids  (Journal of the Mechanics and Physics of Solids)
巻： 58  号： 5  ページ： 810-827  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： C0320A  ISSN： 0022-5096  CODEN： JMPSA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的二元化合物薄膜の化学ビームエピタクシー或いは金属有機化学蒸着相エピタクシーによるステップフロー成長に対する離散・連続体理論を,熱力学第二法則に従う連続体物理の基礎的検討に基づいて開発した。本理論は,散逸,化学,それ以外に:平衡からの乖離を許容する:を考慮し,古典的に変分的に導かれたステップに沿ったGibbs-Thomson関係式を一般化した。既存モデルとは対照的に,拡散ガス種を化学反応により結合させ,バルク分子は,ステップ端部に付随する吸着原子から結晶化した。直線的ステップの周期的列に対する得られた自由境界問題の線形安定性解析は,両ガス種に対する正常なEhrlich-Schwoebelバリアーの存在において実施し,単一ガス種成長に対する標準Burton-Cabrera-Frankモデルの予測と比較した。特に,何れかのガス種の吸着原子平衡範囲が十分に大きく,条件適合である限りは,例えば,ヒ化ガリウムのエピタキシー時に,ステップ分岐開始が生じることを示した。この不安定性の物理的原因は,吸着原子グランドカノニカルポテンシャルにおけるジャンプに関するステップ化学ポテンシャルの依存性において見出されるべきであり,隣接テラスに連成する項目-ステップ間の弾性,エントロピー或いは静電相互作用に対向する-が興味を引く。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 二元合金 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  化学蒸着 ,  表面ステップ ,  原子 ,  安定性解析 ,  熱力学第二法則 ,  数学モデル ,  *薄膜成長 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *ステップフロー成長 ,  化学ビームエピタクシー ,  吸着原子

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化合物薄膜 ,  エピタキシアル成長 ,  分岐