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J-GLOBAL ID:201002272094264343   整理番号:10A0284353

ローズベンガル及び関連キサンテン誘導体を基とする抵抗メモリー 電荷輸送特性のモデル化による洞察

Resistive memories based on Rose Bengal and related xanthene derivatives: insights from modeling charge transport properties
著者 (5件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 1600-1609  発行年: 2010年02月21日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ナトリウムフルオレセインを基とする4種のキサンテン誘導体の電気化学双安定性挙動に関して計算機研究をした。分子内及び分子間電荷移動パラメータを計算し,これを用いてそれら有機物質を基とする抵抗メモリーのために実験的に求めた効率を合理的に説明した。純粋な及び還元した分子化学種の存在下,電極/有機界面での電荷注入をキサンテン誘導体の電子親和性と通常用いられる電極の仕事関数の比較により推定し,バルクの電荷輸送を電荷ホッピング方式を想定してモデル化した。この種の分子では立体配座自由度と酸化還元特性が共に双安定性挙動を支配し,キサンテン誘導体中で実験的に最も効果的なローズベンガルに最もよい組合せが認められた。
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分類 (3件):
分類
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ピランの縮合誘導体  ,  分子の電気的・磁気的性質  ,  半導体集積回路 

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