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J-GLOBAL ID：201002272124595005   整理番号：10A0496684

炭素ナノチューブエレクトロニクスおよびフォトニクスの進歩

Progress in Carbon Nanotube Electronics and Photonics

著者 (3件)： AVOURIS Phaedon (IBM) ,  AVOURIS Phaedon (T.J. Watson Res. Center, NY) ,  MARTEL Richard (Univ. Montreal and holds a Canada Res.)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 35  号： 4  ページ： 306-313  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素ナノチューブ電界効果トランジスター(FET)の発展のいくつかを調べ,未解決問題のいくつかそしてまだ存在する新しい機会を強調する。CNTの原子および電子構造はFETチャネルを作るための多くの固有の利点を提供する。CNTの1次元電子バンド構造の一つの重要な結果は,キャリアーの散乱が一般に弱いことである。CNT-FETは1次元デバイスであり,それらは増強された静電効果を呈示する。結果として,接触でのSchottky障壁を十分に薄くして電子あるいは正孔あるいは両キャリアーに対してトンネル効果およびよりよい注入を可能にする。CNTベースのオプトエレクトロニクスデバイスの性能を改善するために,平面フォトニックλ/2微小空洞に単一CNT-FETを閉じ込めることにより相応に増強された放射性減衰をもつ極めて狭いそして方向性をもつエレクトロルミネセンスが得られることが示されている。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  電子技術 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電子構造 ,  *バンド構造 ,  一次元 ,  トンネル効果 ,  Schottky障壁 ,  *エレクトロルミネセンス ,  半導体
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭素ナノチューブ ,  エレクトロニクス ,  フォトニクス