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J-GLOBAL ID：201002272220372084   整理番号：10A1106687

InGaAs/GaAsSbから成る二重障壁型共鳴トンネルダイオードにおける非放物線効果

Nonparabolicity effects in InGaAs/GaAsSb double barrier resonant tunneling diodes

著者 (9件)： SILVANO DE SOUSA J. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  DETZ H. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  KLANG P. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  NOBILE M. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  ANDREWS A. M. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  SCHRENK W. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  GORNIK E. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  STRASSER G. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT) ,  SMOLINER J. (Inst. fuer Festkoerperelektronik, TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, AUT)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 7  ページ： 073707  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/GaAsSbから成る系によって作製された二重障壁型トンネルダイオードにおける電子の有効質量を,磁気トンネリングの実験によって研究した結果を報告する。この材料系における非放物線的なバンド構造のために,井戸幅が狭く,高い共鳴エネルギーを持つ試料における電子有効質量は大幅に増大することが分かった。驚くべきことに,Landau準位の指数が増すと,有効質量が減少することが分かった。この質量の減少は,共鳴トンネルダイオード内部の共鳴準位位置に影響を及ぼす量子閉じ込めStark効果によって説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *共鳴トンネルダイオード ,  *共鳴トンネル効果 ,  トンネル接合 ,  バンド構造 ,  Landau準位 ,  有効質量 ,  量子閉込め ,  Stark効果
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  共鳴準位

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  GaAsSb ,  障壁 ,  共鳴トンネルダイオード ,  放物線