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J-GLOBAL ID：201002272261331414   整理番号：10A1539360

Alのドープされたナノ結晶酸化亜鉛薄膜のAl濃度および結晶粒界における偏析の度合いの関数として求めた電気抵抗率

Electrical resistivity of nanocrystalline Al-doped zinc oxide films as a function of Al content and the degree of its segregation at the grain boundaries

著者 (6件)： NASR B. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU) ,  DASGUPTA S. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU) ,  WANG D. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU) ,  MECHAU N. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU) ,  KRUK R. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU) ,  HAHN H. (Inst. of Nanotechnology, Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), D-76021 Karlsruhe, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 103721  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法によって,幅広い濃度域に亘るAlを含むAl-ドープのZnO(AZO)から成る透明導電性薄膜を合成した。ゲル相の乾燥過程における温度の上昇速度によって,薄膜の多孔度とモルホロジーを決定した。モルホロジーや微小構造に関係なく,1.5~2原子%のAlのドープされた薄膜の抵抗率が最小になることが分かった。局所元素分析から,Alは結晶粒界に偏析する傾向を持ち,臨界濃度以上になると偏析したAlがAZOナノ結晶における電子輸送を支配し始めることが分かった。また,光学測定から,1.5~2原子%のAlのドーピングまでキャリア濃度が系統的に増加することが確認された。抵抗の最小値は単に溶解限界によって決定されるだけでなく,電荷キャリア濃度と偏析したAlによるキャリア散乱の間の相互作用の結果に起因することを結論づけることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  濃度依存性 ,  ナノ結晶 ,  結晶粒界 ,  偏析 ,  *電気抵抗率 ,  酸化物 ,  空隙率 ,  キャリア密度 ,  溶解度
準シソーラス用語： 透明導電性酸化物

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  ドープ ,  ナノ結晶 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  結晶粒界 ,  偏析 ,  度合い ,  関数 ,  電気抵抗率