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J-GLOBAL ID：201002272306742003   整理番号：10A0466761

HfO₂を基本とするゲートの積層ブレイクダウンにおける酸素空孔の役割

Role of oxygen vacancies in HfO₂-based gate stack breakdown

著者 (7件)： WU X. (Div. of Microelectronics, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798) ,  MIGAS D. B. (Belarusian State Univ. of Informatics and Radioelectronics, P.Browka 6, Minsk 220013, Belarus) ,  LI X. (Div. of Microelectronics, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798) ,  BOSMAN M. (Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...) ,  RAGHAVAN N. (Div. of Microelectronics, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798) ,  BORISENKO V. E. (Belarusian State Univ. of Informatics and Radioelectronics, P.Browka 6, Minsk 220013, Belarus) ,  PEY K. L. (Div. of Microelectronics, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 17  ページ： 172901  発行年： 2010年04月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,HfO₂を基本とする金属-酸化物-半導体型トランジスターにおけるポストブレークダウン・ランダム・テレグラフ雑音(RTN)のデジタル揺動に対するパーコレート誘電体中の多重酸素空孔トラップの効果を研究した結果を報告する。電気的特性評価の結果から,これらのデジタル揺動は,あるゲートストレス電場を越えると誘起されることが分かった。第一原理計算から,酸素空孔は禁止帯バンドギャップ領域内におけるサブバンドの形成の役割を果たし,RTN揺動に関するトリガ電圧(V_TRIG)に影響を及ぼし,そしてHfO₂のバンドギャップの縮小を誘起することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  *空格子点 ,  *MOSFET ,  雑音 ,  *絶縁破壊 ,  パーコレーション ,  漏れ電流 ,  状態密度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： MOSトランジスタ ,  ゲート漏れ電流 ,  *酸素空孔 ,  電信雑音

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  ゲート ,  酸素空孔 ,  役割