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J-GLOBAL ID:201002272338410932   整理番号:10A1002071

GaN/Mn3O4コア-シェルナノワイヤの構造,光ルミネセンス及び磁気的性質に及ぼすアニーリング効果

Annealing effects on the structure, photoluminescence, and magnetic properties of GaN/Mn3O4 core-shell nanowires
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巻: 183  号: 10  ページ: 2445-2450  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: H0505A  ISSN: 0022-4596  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaN/Mn3O4からなるナノワイヤを調製GaNナノワイヤの酢酸マンガン水溶液への浸漬を含む二段階法により調製した。アニーリングの効果を調べるため,GaN/Mn3O4コア-シェルナノワイヤをN2雰囲気中700°Cで加熱した。透過型電子顕微鏡により,連続GaN/Mn3O4シェル層は凝塊化して裸のGaNコア表面を熱アニーリング後に露出することが示された。磁気測定から,GaNの常磁性挙動がMn3O4の被覆により低減され,熱アニーリング後でも顕著な変化がないことが示された。Mn3O4コア-シェルナノワイヤは青,緑及び赤色の光ルミネセンス(PL)発光を示す。赤色発光は熱アニーリングにより増強される。本研究は,Mn3O4コア-シェルナノワイヤのPL及び磁気的性質の変動に対する会合機構を考察した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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塩  ,  無機化合物のルミネセンス 

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