文献

J-GLOBAL ID：201002272393934053   整理番号：10A0626867

柔軟な電子機器に応用のための超高障壁被覆の堆積と特性評価

Deposition and characterization of ultra-high barrier coatings for flexible electronic applications

著者 (8件)： CHEN Tsai-ning (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chung Hsing Univ., 250 Kuo Kuang Rd., Taichung 40227, Taiwan, R.O.C.) ,  WUU Dong-sing (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chung Hsing Univ., 250 Kuo Kuang Rd., Taichung 40227, Taiwan, R.O.C.) ,  WU Chia-cheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Chung Hsing Univ., 250 Kuo Kuang Rd., Taichung 40227, Taiwan, R.O.C.) ,  HORNG Ray-hua (Inst. of Precision Engineering, National Chung Hsing Univ., Taichung 40227, Taiwan, R.O.C.) ,  WEI Hsiao-fen (Display Technol. Center, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 31040, Taiwan, R.O.C.) ,  JIANG Liang-you (Display Technol. Center, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 31040, Taiwan, R.O.C.) ,  LEE Hung-uang (Display Technol. Center, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 31040, Taiwan, R.O.C.) ,  CHANG Yu-yang (Display Technol. Center, Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu 31040, Taiwan, R.O.C.)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 84  号： 12  ページ： 1444-1447  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学的気相成長(PECVD)により80°Cで高分子基板上にSiO_xおよびSiN_x膜から構成される障壁構造を堆積した。しかしながら,障壁で被覆された基板の曲率半径(R_c)は低いのでそれ以降の作製過程が不便になるかもしれない。150nmのSiN_x膜を堆積することにより,障壁構造中に亀裂を誘起せずに障壁で被覆されたポリカーボネート(PC)基板のR_cを80から115mmまで増大させることができた。さらに,容器におけるPECVDの処理期間を延ばし,そしてPCをポリエーテルスルホン(PES)基板で置換することにより,障壁構造の熱応力を調節することができた。PES基板の別な側に150nmのSiN_x膜を堆積することによりR_cは約356mmまで増大することができた。最後に,障壁膜/PES/SiN_x試料のカルシウム試験結果を約3.05×10^-6g/m²/dayと計算した。これは障壁構造が修正後になくならないことを意味している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  基板 ,  ポリカーボネート ,  *半径 ,  *熱応力 ,  ポリエーテルスルホン ,  *被覆層 ,  *遮蔽
準シソーラス用語： 曲率半径

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子機器 ,  応用 ,  障壁 ,  堆積 ,  特性評価