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J-GLOBAL ID：201002272413099091   整理番号：10A0978266

HBM ESD事象下での完全シリサイド化電力クランプ素子の放電挙動への減結合キャパシターの影響

The Influence Of Decoupling Capacitor On The Discharge Behavior Of Fully Silcided Power-Clamped Device Under HBM ESD Event

著者 (4件)： LEE Jian-Hsing (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) ,  SHIH J. R. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) ,  KUAN H. P. (Systems-On-Silicon Manufacturing Co.) ,  WU Kenneth (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 47-51  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新静電放電(ESD)現象を発見した。この現象は人体モード(HBM)ザッピング事象中起こり,電荷キャパシターモデル(CCM)と呼んだ。減結合キャパシターの容量は,HBM ESD事象下で完全シリサイド化電力クランプ素子(P_dev)の電力パッドの静電放電(ESD)性能に明らかに影響することを示した。減結合キャパシターが大容量であるほど,多くの電荷が伝達され,減結合キャパシターに保存された。P_devのターンオン前,電荷はHBM放電ヘッドから電力線下の減結合キャパシターへ流れ,P_devターンオン後,P_devに追加ストレス電流を与えるため,減結合キャパシターは保存電荷を放電した。これにより,P_dev中の大電流の流れを誘起し,低ザッピングレベルで電力パッドの不良を生じた。HBM事象と比較して,金属バス配線により,減結合キャパシターをP_devに接続したため,CCMの立上り時間は非常に短くなった。この短立上り時間パルス下では,電荷を放電するのにその素子の数領域のみしかターンオンできないため,所要の電圧レベルより非常に小さい電力パッドのHBMしきい値電圧不良を生じた。要求HBMレベルを得るとともに,雑音を許容範囲に低減するためには,減結合キャパシターの容量は大き過ぎて,制限なしで設計することができないことを示した。

シソーラス用語： *コンデンサ ,  *電磁結合 ,  *雑音低減 ,  *静電気 ,  *放電 ,  生体モデル ,  ヒト ,  ケイ化物 ,  *クランプ回路 ,  パッド ,  *電力線路 ,  電流電圧特性 ,  接地 ,  電圧 ,  パルス特性 ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： デカップリングキャパシタ ,  人体モデル ,  閾値電圧

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (8件)： HBM ,  ESD ,  事象 ,  シリサイド ,  クランプ ,  放電 ,  挙動 ,  減結合キャパシター