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J-GLOBAL ID:201002272542561311   整理番号:10A0725221

陽極酸化膜の存在下でのHg1-xCdxTe(MCT)からの第二高調波シグナルの増強

Enhancement of the second harmonic signal from Hg1- x Cd x Te (MCT) in the presence of an anodic oxide film
著者 (5件):
資料名:
巻: 646  号: 1-2  ページ: 133-141  発行年: 2010年07月15日 
JST資料番号: D0037A  ISSN: 1572-6657  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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第二次高調波発生(SHG)は,現在。電極表面の研究手段として広く見なされている。本研究では,非中心対称の基質,Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te陽極酸化膜の存在下で観察される増強SHシグナルを定量的に示すために利用できるモデルの開発を明らかにする。その目的は,種々の電極システムのプロービングのためのSHGの有用性をさらに拡張することである。高品質の酸化膜の成長をin situ偏光解析法によって追跡調査した。一定の電流密度,150μAcm<sup>-2</sup>で成長した薄膜(<100nm)に,屈折率nが2.15±0.05の均一酸化膜が見出され,これは632.8nm(1.96eV)での入射光の吸収を示さない。厚み58nmの酸化膜の存在下で反射測定された第二高調波(SH)シグナルの強度が,P<sub>IN</sub>-P<sub>out</sub>とP<sub>IN</sub>-S<sub>out</sub>の偏光構成の両方に顕著に増強されることが見出される。観察された変化を定量化するために,そのモデルのそれぞれの層がそれ自体の対称性と光学定数,ω,調波Ω(=2ω)周波数,及び所定の膜厚を割り当てる。SH回転非等方性実験のモデル化を種々の入射角度で行い,この増加の多くが,基本波ω=1064nm(1.17eV)の重複反射によって説明されることが示唆された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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電気化学一般  ,  非線形光学 
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