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J-GLOBAL ID：201002272569107914   整理番号：10A0851568

RF ICアプリケーションのためのシリコンMOSFETの正確な小信号モデリングと抽出

Accurate small signal modeling and extraction of silicon MOSFET for RF IC application

著者 (3件)： TANG Yang (Inst. of Microelectronics of Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZHANG Li (Inst. of Microelectronics of Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  WANG Yan (Inst. of Microelectronics of Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 11  ページ： 1312-1318  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,簡単でスケーラブルなSi MOSFETの非準静電気(NQS)小信号等価回路(SSEC)モデルと,対応する直接抽出方法論について示す。基板損失,端子抵抗,およびインダクタンスの影響と共に,40GHzまでの高周波の下での寄生ゲートドレイン結合について説明するために,従来のSSECと比べて,平行ゲートドレイン分岐が追加された。新しい抽出方法論が開発され,それは,すべての外因性寄生成分をゼロバイアスとZ-パラメタから抽出し,内因性成分をオン状態のY-パラメタから抽出する。提案されたモデルと抽出方法論は,0.13μmのCMOS技術で作られたデバイスに対して0.1~40GHzまでシミュレートおよび測定されたS-パラメタの間に良い一致が見られることで検証された。抽出されたバイアス依存モデルは,大信号アプリケーションにおける非線形モデルを構成するのにも使用できる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  モデリング ,  *モデル ,  *マイクロ波集積回路 ,  S行列
準シソーラス用語： *小信号モデル ,  Sパラメータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  IC ,  アプリケーション ,  シリコン ,  MOSFET ,  信号モデリング