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J-GLOBAL ID：201002272588122827   整理番号：10A0502616

ガラスセラミック基板上のアルミニウム誘起結晶化による多結晶珪素形成と成長動態

Growth kinetics and polysilicon formation by aluminium-induced crystallization on glass-ceramic substrates

著者 (4件)： TUEZUEN OE. (UdS, Strasbourg, FRA) ,  SLAOUI A. (UdS, Strasbourg, FRA) ,  MAURICE C. (Ecole des Mines de Saint Etienne, Saint Etienne, FRA) ,  VALLON S. (Corning European Technol. Center, Avon, FRA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 99  号： 1  ページ： 53-61  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶珪素は薄膜太陽電池の安価な活性材料として期待される。結晶品質と結晶化温度は成長方法に強く依存する。高温のガラスセラミック基板上の非晶質珪素のAl誘起結晶化による多結晶珪素薄膜の成長と構造特性を調べた。裸の及びSiN_x被覆したガラスセラミックの粗さと形態を白色光走査干渉顕微鏡により確認した。電子後方散乱回折と光学顕微鏡を用いて結晶層の構造を解析し形態を監視した。さらに,顕微Raman分光法を用いて結晶度を交換焼なまし条件の関数として調べた。

シソーラス用語： 基板 ,  *結晶化 ,  アルミニウム ,  ガラスセラミック ,  *ポリシリコン ,  アモルファスシリコン ,  電子回折 ,  結晶構造 ,  顕微Raman分光法 ,  焼なまし ,  *結晶成長 ,  顕微鏡観察 ,  半導体材料
準シソーラス用語： ガラスセラミック基板 ,  *金属誘起結晶化 ,  *多結晶珪素 ,  非晶質ケイ素 ,  電子後方散乱回折

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラスセラミック基板 ,  アルミニウム ,  誘起 ,  結晶化 ,  多結晶珪素 ,  成長