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J-GLOBAL ID：201002272640688710   整理番号：10A1124869

水熱法でにエピタキシャル成長させたZnO薄膜における水素に関係したn型伝導度

Hydrogen-related n-type conductivity in hydrothermally grown epitaxial ZnO films

著者 (4件)： ZHANG Y. B. (Inst. of Materials Res. and Engineering, Agency for Sci., Technol., and Res. (A*STAR), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  GOH G. K. L. (Inst. of Materials Res. and Engineering, Agency for Sci., Technol., and Res. (A*STAR), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  OOI K. F. (Inst. of Materials Res. and Engineering, Agency for Sci., Technol., and Res. (A*STAR), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  TRIPATHY S. (Inst. of Materials Res. and Engineering, Agency for Sci., Technol., and Res. (A*STAR), 3 Res. Link, Singapore 117602)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 083716  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水中に置かれた単結晶スピネル基板上に,90°CでZnO薄膜をエピタキシャル成長させた。Hall測定から,成長後アニーリング温度の上昇,あるいは成長溶液のpHの低下に伴って,ZnO薄膜におけるn型キャリアの濃度および伝導度が減少することが分かった。同時に,x線光電子分光,室温と低温における光ルミネセンス,および二次イオン質量分析による観測から,pHが高くなるとHの混入が増大するが,アニーリング温度の上昇に伴ってHの混入は減少することが分かった。これらの全ての観測結果は溶液成長させたZnO中に無意識に混入した水素は浅いドナーとして働き,n型キャリア密度の増大に寄与することが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 水熱合成 ,  エピタクシー ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  スピネル ,  Hall効果 ,  溶液成長 ,  pH【水素イオン指数】 ,  キャリア密度 ,  *電気伝導率 ,  X線光電子スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  二次イオン質量分析 ,  水素 ,  ドナー ,  紫外可視発光スペクトル

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水熱法 ,  エピタキシャル成長 ,  ZnO薄膜 ,  水素 ,  N型伝導