文献

J-GLOBAL ID：201002272652621808   整理番号：10A0898656

フラーレン固体の伝導度の異常な温度依存性

An Abnormal Temperature Dependence of Conductivity in Fullerene Solids

著者 (3件)： SUN Yong (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  ONWONA-AGYEMAN Boateng (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MIYASATO Tatsuro (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 1  ページ： 085103.1-085103.5  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかのフラーレン固体,C₆₀,C₇₀,C₆₀H₃₆,において温度範囲400-500Kで伝導度の異常な温度依存性を観測した。種々の分子直径や慣性モーメントを持つこれらのフラーレンの伝導度の温度依存性測定は異常な伝導度はフラーレン固体中における分子の回転に関係していることを示している。種々の圧力を用いて調製したC₆₀固体試料の伝導度測定は異常な伝導度はエネルギーバンド構造の変化にも関係していることを示している。観測した異常な伝導度を説明するために,格子欠陥により導入された深いエネルギーレベル中のホールが可逆的なアニーリング効果により自由になったり,トラップされたりするモデルを提案した。これらのホールの寄与が伝導度の異常な温度依存性の原因である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラーレン ,  *電気伝導率 ,  *温度依存性 ,  フラーレンC60 ,  フラーレンC70 ,  *回転 ,  *圧力効果 ,  バンド構造 ,  格子欠陥 ,  半導体
準シソーラス用語： フラーレンC60H36

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (29件)：

• N. A. Fortune, K. Murata, F. Iga, Y. Nishihara, K. Kikuchi, S. Suzuki, I. Ikemoto, and Y. Achiba: Physica C 185-189(1991)425.
• F. Yan and Y. N. Wang: Appl. Phys. Lett.73(1998)476.
• Y. Hamanaka, S. Nakashima, M. Hangyo, H. Shinohara, and Y. Saito: Phys. Rev. B 48(1993)8510.
• M. Tachibana, M. Michiyama, K. Kikuchi, Y. Achiba, and K. Kojima: Phys. Rev. B 49(1994)14945.
• C. Yannoni, R. Johnson, G. Meijer, D. Bethune, and J. Salem: J. Phys. Chem.95(1991)9.

タイトルに関連する用語 (4件)： フラーレン ,  固体 ,  伝導度 ,  温度依存性