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J-GLOBAL ID：201002273110918932   整理番号：10A0377648

超高周波電力増幅IC内蔵樹脂基板技術

著者 (3件)： 伊藤正紀 (沖電気工業) ,  星真一 (沖電気工業) ,  飯長裕 (沖プリンテッドサーキット)
資料名： OKIテクニカルレビュー  (Oki Technical Review)
巻： 77  号： 1  ページ： 14-17  発行年： 2010年04月01日 
JST資料番号： F0243A  ISSN： 1346-5961  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siを用いた低コストミリ波帯送受信ICの実用化に向けての,電力増幅ICを樹脂基板に内蔵する技術の開発を紹介し,試作した樹脂基板の製造工程と電気特性と熱特性を示した。ミリ波帯電力増幅ICを内蔵する樹脂基板の特性として低い誘電正接が求められることからグラフトポリマ材を使用した。IC内蔵樹脂基板の製造工程の概略を示し,試作した基板の伝送特性についてシミュレータによる計算結果と測定値を示した。また,温度特性についてIC温度上昇が13°C程度とシミュレーションと同様の結果が得られたと述べた。

シソーラス用語： 送受信機 ,  *ミリ波通信 ,  電力増幅器 ,  薄膜集積回路 ,  *MMIC ,  基板 ,  グラフト共重合体 ,  伝送特性 ,  周波数特性 ,  技術開発
準シソーラス用語： グラフト重合体

分類 (1件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

引用文献 (6件)：

• Y. Yoshihara, et al.: “A 60-GHz CMOS power amplifier with Marchand balun-based parallel power combiner”, IEEE A-SSCC, pp. 121-1246, Nov.2008
• M. Tanomura, et al.: “TX and RX front-ends for 60GHz band in 90nm standard bulk CMOS”, Int. Solid-State Circuits Conf. Dig., pp. 558-559, San Francisco, CA, Feb.2008
• http://www.wirelesshd.org/index.html
• http://www.ieee802.org/15/pub/TG3c.html
• http://www.nof.co.jp/business/electron/product07.html

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波電力 ,  増幅 ,  IC ,  樹脂基板